Chińska Akademia Nauk poinformowała o odkryciu mechanizmu dla opracowywania urządzeń z ultraszybką pamięcią. To odkrycie naukowców Instytutu Fizyki.

Rozwój urządzeń wyposażonych w pamięć odegrał kluczową rolę we współczesnych innowacjach elektronicznych. Urządzenia, na przykład z pamięcią tylko do odczytu (ROM) i pamięcią flash, charakteryzują się dużą pojemnością i niezawodnością mechaniczną. Jednak ich wydajność była utrudniona przez niski współczynnik ekstynkcji i niską prędkość operacyjną.

Zespół badawczy z Instytutu Fizyki przy Chińskiej Akademii Nauk opracował urządzenia pamięciowe z nieulotną bramką zmiennoprzecinkową o bardzo dużej szybkości. Urządzenie oparte jest na heterostrukturach van der Waalsa z atomowo-ostrymi interfejsami. Współczynnik ekstynkcji sięga aż 10 miliardów.

Takie urządzenia ultraszybkiej pamięci mogą wykonywać operacje odczytu i zapisu w czasie 20 nanosekund i przechowywać dane przez co najmniej dziesięć lat. Obecne komercyjne urządzenia pamięci flash odczytują i zapisują dane w czasie 100 mikrosekund lub 100 000 nanosekund.

Źródło: http://global.chinadaily.com.cn/a/202105/04/WS60915d94a31024ad0babbf4d.html